-
RFTXX-10RM5025C ခဲပါ ခုခံပစ္စည်း RF ခုခံပစ္စည်း
မော်ဒယ် RFTXX-10RM5025C ပါဝါ 10 W ခုခံမှု XX Ω~ (10-3000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% Capacitance 1.8 PF@100Ω အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ Substrate BeO Cover AL2O3 Lead 99.99% သန့်စင်သော ငွေ Resistive Element Thick Film လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှု de ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှု Reflow Profile P/N အမည် သတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်သွားပါက ... -
RFTXXN-10CR2550C ချစ်ပ် ရီဆက်တာ RF ရီဆက်တာ
မော်ဒယ် RFTXXN-10CR2550C ပါဝါ 10 W ခုခံမှု XX Ω (10~3000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ အလွှာ AlN ခုခံမှုဒြပ်စင် အထူဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှု de ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှု Reflow Profile P/N အမည် အသုံးပြုမှုသတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်လွန်ပြီးနောက် အသုံးမပြုမီ ဂဟေဆက်နိုင်မှုအပေါ် အာရုံစိုက်ရမည်။ အကြံပြုထားသည်... -
RFTXX-20CR2550C ချစ်ပ် ရီဆက်တာ RF ရီဆက်တာ
အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါအဆင့်သတ်မှတ်ချက် ပြန်လည်စီးဆင်းမှုပရိုဖိုင် P/N သတ်မှတ်ချက် အသုံးပြုပုံ သတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်သွားပြီးနောက်၊ အသုံးမပြုမီ ဂဟေဆက်နိုင်စွမ်းကို အာရုံစိုက်ရမည်။ ဖုန်စုပ်ထုပ်ပိုးပြီးနောက် သိမ်းဆည်းရန် အကြံပြုထားသည်။ ■ PCB မှတစ်ဆင့် အပူလမ်းကြောင်းများကို တူးဖော်ပြီး ဂဟေဖြင့်ဖြည့်ပါ။ ■ ပြန်လည်စီးဆင်းမှု ဂဟေဆက်ခြင်းသည် ဂဟေဆက်ခြင်းအတွက် ပိုမိုနှစ်သက်သည်၊ Reflow curve ကိုကြည့်ပါ ■ ပုံဆွဲခြင်း၏ လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန်အတွက် လုံလောက်သော အရွယ်အစားရှိသော ရေတိုင်ကီကို တပ်ဆင်ရမည်။ ■ လိုအပ်ပါက... -
RFTXX-30CR2550TA မျက်နှာပြင်တပ်ဆင် ခုခံအား RF ခုခံအား
မော်ဒယ် RFTXX-30CR2550TA ပါဝါ 30W ခုခံမှု XX Ω (10~3000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှု de ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှု Reflow Profile P/N အမည် အသုံးပြုမှုသတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်လွန်ပြီးနောက် အသုံးမပြုမီ ဂဟေဆက်နိုင်မှုအပေါ် အာရုံစိုက်ရမည်။ အကြံပြုထားသည်... -
Broadband ခွဲထုတ်ကိရိယာ
Broadband isolator များသည် RF ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များတွင် အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပြီး အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးအတွက် အလွန်သင့်လျော်စေသည့် အားသာချက်များစွာကို ပေးစွမ်းပါသည်။ ဤ isolator များသည် ကျယ်ပြန့်သော frequency range တွင် ထိရောက်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေရန် broadband coverage ကို ပေးစွမ်းသည်။ signal များကို isolate လုပ်နိုင်စွမ်းရှိသောကြောင့် out of band signal များမှ ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုကို ကာကွယ်ပေးနိုင်ပြီး in band signal များ၏ သမာဓိကို ထိန်းသိမ်းပေးနိုင်သည်။ broadband isolator များ၏ အဓိကအားသာချက်များထဲမှတစ်ခုမှာ ၎င်းတို့၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော isolation စွမ်းဆောင်ရည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် antenna အဆုံးရှိ signal ကို ထိရောက်စွာ isolate လုပ်နိုင်ပြီး antenna အဆုံးရှိ signal ကို system ထဲသို့ မပြန်ဟပ်စေရန် သေချာစေသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဤ isolator များတွင် port standing wave လက္ခဏာများကောင်းမွန်ပြီး reflected signal များကို လျှော့ချပေးပြီး signal transmission ကို တည်ငြိမ်စွာ ထိန်းသိမ်းပေးသည်။
ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား 56MHz မှ 40GHz၊ BW မှ 13.5GHz အထိ။
စစ်ရေး၊ အာကာသနှင့် စီးပွားရေးအသုံးချမှုများ။
ထည့်သွင်းမှုဆုံးရှုံးမှုနည်းခြင်း၊ အထီးကျန်မှုမြင့်မားခြင်း၊ ပါဝါကိုင်တွယ်မှုမြင့်မားခြင်း။
စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်းကို တောင်းဆိုမှုအပေါ် ရရှိနိုင်ပါသည်။
-
RFTXX-30CR6363C မျက်နှာပြင်တပ်ဆင် ခုခံအား RF ခုခံအား
မော်ဒယ် RFTXX-30CR6363C ပါဝါ 30W ခုခံမှု XX Ω (10~3000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ Substrate BeO ခုခံမှုဒြပ်စင် အထူဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှု de ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှု Reflow Profile P/N အမည် အသုံးပြုမှုသတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်လွန်ပြီးနောက် အသုံးမပြုမီ ဂဟေဆက်နိုင်မှုအခြေအနေကို အာရုံစိုက်ရမည်။ အကြံပြုထားသည် ... -
RFTXX-30CR2550W မျက်နှာပြင်တပ်ဆင် ခုခံအား RF ခုခံအား
မော်ဒယ် RFTXX-30CR2550W ပါဝါ 30 W ခုခံမှု XX Ω (10~3000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှု de ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှု Reflow Profile P/N အမည် အသုံးပြုမှုသတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်လွန်ပြီးနောက် အသုံးမပြုမီ ဂဟေဆက်နိုင်မှုအပေါ် အာရုံစိုက်ရမည်။ အကြံပြုထားသည်... -
RFTXXN-02CR2550B၊ ချစ်ပ် ရီဆက်တာ၊ RF ရီဆက်
မော်ဒယ် RFTXXN-02CR2550B ပါဝါ 2 W ခုခံမှု XX Ω (10~3000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ အလွှာ AlN ခုခံမှုဒြပ်စင် အထူဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှု de ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှု Reflow Profile P/N အမည် အသုံးပြုမှုသတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်လွန်ပြီးနောက် အသုံးမပြုမီ ဂဟေဆက်နိုင်မှုအပေါ် အာရုံစိုက်ရမည်။ အကြံပြုထားသည်... -
အင်္ကျီလက်ပါသော မိုက်ခရိုစထရစ် attenuator
Microstrip attenuator with sleeve ဆိုသည်မှာ သတ်မှတ်ထားသော အရွယ်အစားရှိသော သတ္တုစက်ဝိုင်းပြွန်ထဲသို့ ထည့်သွင်းထားသော သတ်မှတ်ထားသော attenuation တန်ဖိုးရှိသည့် spiral microstrip attenuation chip ကို ရည်ညွှန်းသည် (ပြွန်ကို ယေဘုယျအားဖြင့် အလူမီနီယမ်ပစ္စည်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး လျှပ်ကူးဓာတ်တိုးခြင်း လိုအပ်ပြီး လိုအပ်သလို ရွှေ သို့မဟုတ် ငွေဖြင့်လည်း ချနိုင်သည်)။
စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်းကို တောင်းဆိုမှုအပေါ် ရရှိနိုင်ပါသည်။
-
RFTXXA-02CR3065B ချစ်ပ် ရီဆက်တာ RF ရီဆက်တာ
မော်ဒယ် RFTXXA-02CR3065B ပါဝါ 2 W ခုခံမှု XX Ω (10~3000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ အလွှာ Al2O3 ခုခံမှုဒြပ်စင် အထူဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှု de ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှု Reflow Profile P/N အမည် အသုံးပြုမှုသတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်လွန်ပြီးနောက် အသုံးမပြုမီ ဂဟေဆက်နိုင်မှုအပေါ် အာရုံစိုက်ရမည်။ အကြံပြုထားသည်... -
RFTXXN-05CR1530C ချစ်ပ် ရီဆက်တာ RF ရီဆက်တာ
မော်ဒယ် RFTXXN-05CR1530C ပါဝါ 5 W ခုခံမှု XX Ω ~(10~3000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ အလွှာ AlN ခုခံမှုဒြပ်စင် အထူဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှု de ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှု Reflow Profile P/N အမည် အသုံးပြုမှုသတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်လွန်ပြီးနောက် အသုံးမပြုမီ ဂဟေဆက်နိုင်စွမ်းကို အာရုံစိုက်ရမည်။ အကြံပြုထားသည်... -
RFTXX-05CR2550W ချစ်ပ် ရီဆက်တာ RF ရီဆက်တာ
မော်ဒယ် RFTXX-05CR2550W ပါဝါ 5 W ခုခံမှု XX Ω (10~3000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှု de ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှု Reflow Profile P/N အမည် အသုံးပြုမှုသတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လကျော်လွန်ပြီးနောက် အသုံးမပြုမီ ဂဟေဆက်နိုင်မှုအခြေအနေကို အာရုံစိုက်ရမည်။ အကြံပြုထားသည် ...
