-
အနားကွပ် အဆုံးသတ်
အနားကွပ် terminal များကို ဆားကစ်တစ်ခု၏ အဆုံးတွင် တပ်ဆင်ထားပြီး ဆားကစ်တွင် ထုတ်လွှင့်သော အချက်ပြမှုများကို စုပ်ယူပြီး အချက်ပြ ရောင်ပြန်ဟပ်မှုကို ကာကွယ်ပေးသောကြောင့် ဆားကစ်စနစ်၏ ထုတ်လွှင့်မှု အရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေပါသည်။ အနားကွပ် terminal ကို တစ်ခုတည်းသော lead terminal resistor ကို အနားကွပ်များနှင့် patch များဖြင့် ဂဟေဆက်ခြင်းဖြင့် တပ်ဆင်ထားသည်။ အနားကွပ် အရွယ်အစားကို များသောအားဖြင့် တပ်ဆင်မှု အပေါက်များနှင့် terminal resistance အတိုင်းအတာများ ပေါင်းစပ်မှုအပေါ် အခြေခံ၍ ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ဖောက်သည်၏ အသုံးပြုမှု လိုအပ်ချက်များအရ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုလည်း ပြုလုပ်နိုင်သည်။
-
RFTXXN-100AJ8957-3 ခဲပါသော လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ DC~3.0GHz RF လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ
မော်ဒယ် RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=Attenuation တန်ဖိုး) Impedance 50 Ω ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~3.0GHz VSWR 1.20 max Rated Power 100 W Attenuation Value 13,20,30dB Attenuation Tolerance ±1.0dB အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း <150ppm/℃ Substrate Material AlN Porcelain Hat Material Medium Lead 99.99% Sterling Silver Resistance Technology Thick Film Operating Temperature -55 မှ +150°C (Power De-rating ကိုကြည့်ပါ) Outline Drawing (ယူနစ်: မီလီမီတာ/လက်မ) Lead အရှည်ကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်... -
မိုက်ခရိုစထရစ် လျှပ်ကူးကိရိယာ
Microstrip Attenuator သည် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ကြိမ်နှုန်း band အတွင်း signal attenuation တွင် အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည့် ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကို fixed attenuator အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲခြင်းကို မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ဆက်သွယ်ရေး၊ ရေဒါစနစ်များ၊ ဂြိုလ်တုဆက်သွယ်ရေး စသည်တို့ကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြပြီး ဆားကစ်များအတွက် ထိန်းချုပ်နိုင်သော signal attenuation လုပ်ဆောင်ချက်ကို ပေးစွမ်းသည်။ Microstrip Attenuator ချစ်ပ်များသည် အသုံးများသော patch attenuation ချစ်ပ်များနှင့်မတူဘဲ၊ input မှ output သို့ signal attenuation ရရှိရန် coaxial ချိတ်ဆက်မှုကို အသုံးပြု၍ သတ်မှတ်ထားသော အရွယ်အစားရှိသော air hood ထဲသို့ တပ်ဆင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်းကို တောင်းဆိုမှုအပေါ် ရရှိနိုင်ပါသည်။
-
RFT20N-60AM6363-6 ခဲပါသော လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ DC~6.0GHz RF လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ
မော်ဒယ် RFT20N-60AM6363-6 (XX=Attenuation တန်ဖိုး) Impedance 50 Ω ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~6.0GHz VSWR 1.25 အမြင့်ဆုံး သတ်မှတ်ထားသော ပါဝါ 60 W Attenuation တန်ဖိုး 20dB Attenuation Tolerance ±0.8 dB အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း <150ppm/℃ Substrate Material AlN Porcelain Hat Material Al2O3 Lead 99.99% Sterling Silver Resistance Technology Thick Film Operating Temperature -55 မှ +150°C (Power De-rating ကိုကြည့်ပါ) Outline Drawing (ယူနစ်: မီလီမီတာ/လက်မ) Lead အရှည်ကို ဖောက်သည်အလိုက် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်... -
RFTXX-60AM6363B-3 ခဲပါ လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ DC~3.0GHz RF လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ
မော်ဒယ် RFTXX-60AM6363B-3 (XX=Attenuation တန်ဖိုး) Impedance 50 Ω ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~3.0GHz VSWR 1.25 အမြင့်ဆုံး သတ်မှတ်ထားသော ပါဝါ 60 W Attenuation တန်ဖိုး 01-10dB/16dB/20dB Attenuation Tolerance ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း <150ppm/℃ Substrate Material BeO Porcelain Hat Material Al2O3 Lead 99.99% Sterling Silver Resistance Technology Thick Film Operating Temperature -55 မှ +150°C (Power De-rating ကိုကြည့်ပါ) Outline Drawing (ယူနစ်: မီလီမီတာ/လက်မ) Lead အရှည်ကို ချိန်ညှိနိုင်သည်... -
RFTXXA-05AM0404-3 ခဲပါသော လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ DC~3.0GHz RF လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ
မော်ဒယ် RFTXXA-05AM0404-3 (XX=Attenuation တန်ဖိုး) Impedance 50 Ω ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~3.0GHz VSWR 1.20 max Rated Power 5 W Attenuation Value(dB) 01-10/15, 17, 20/25,30 Attenuation Tolerance(dB) ±0.6/±0.8/±1.0 အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း <150ppm/℃ Substrate Material Al2O3 Porcelain Hat Material Al2O3 Lead 99.99% Sterling Silver Resistance Technology Thick Film Operating Temperature -55 မှ +150°C (Power De-rating ကိုကြည့်ပါ) Outline Drawing (ယူနစ်: မီလီမီတာ/လက်မ) Lead အရှည် ... -
မိုက်ခရိုစထရစ် လည်ပတ်စက်
Microstrip Circulator သည် ဆားကစ်များတွင် အချက်ပြမှု ထုတ်လွှင့်ခြင်းနှင့် သီးခြားခွဲထုတ်ခြင်းအတွက် အသုံးပြုသည့် အသုံးများသော RF မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် လည်ပတ်နေသော သံလိုက် ferrite ၏ အပေါ်မှာ ဆားကစ်တစ်ခု ဖန်တီးရန် ပါးလွှာသော ဖလင်နည်းပညာကို အသုံးပြုပြီးနောက် ၎င်းကိုရရှိရန် သံလိုက်စက်ကွင်းတစ်ခု ထည့်သွင်းသည်။ microstrip annular ကိရိယာများ တပ်ဆင်ခြင်းသည် ယေဘုယျအားဖြင့် လက်ဖြင့် ဂဟေဆက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကြေးနီချောင်းများနှင့် ရွှေဝါယာကြိုး ချိတ်ဆက်ခြင်း နည်းလမ်းကို အသုံးပြုသည်။ coaxial နှင့် embedded circuits များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက microstrip circuits များ၏ ဖွဲ့စည်းပုံသည် အလွန်ရိုးရှင်းပါသည်။ အထင်ရှားဆုံး ကွာခြားချက်မှာ အခေါင်းပေါက်မရှိခြင်းဖြစ်ပြီး microstrip Circulator ၏ လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ပါးလွှာသော ဖလင်လုပ်ငန်းစဉ် (vacuum sputtering) ကို အသုံးပြု၍ rotary ferrite ပေါ်တွင် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ပုံစံကို ဖန်တီးခြင်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ electroplating ပြီးနောက်၊ ထုတ်လုပ်ထားသော လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို rotary ferrite substrate နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဂရပ်၏ အပေါ်မှာ insulating medium အလွှာတစ်ခု တပ်ဆင်ပြီး medium ပေါ်တွင် သံလိုက်စက်ကွင်းတစ်ခု တပ်ဆင်ပါ။ ဤကဲ့သို့ ရိုးရှင်းသော ဖွဲ့စည်းပုံဖြင့် microstrip circulator တစ်ခုကို ဖန်တီးထားသည်။
ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား ၂.၇ မှ ၄၀ GHz။
စစ်ရေး၊ အာကာသနှင့် စီးပွားရေးအသုံးချမှုများ။
ထည့်သွင်းမှုဆုံးရှုံးမှုနည်းခြင်း၊ အထီးကျန်မှုမြင့်မားခြင်း၊ ပါဝါကိုင်တွယ်မှုမြင့်မားခြင်း။
စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်းကို တောင်းဆိုမှုအပေါ် ရရှိနိုင်ပါသည်။
-
Broadband လည်ပတ်မှု
Broadband Circulator သည် RF ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များတွင် အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးအတွက် အလွန်သင့်လျော်စေသည့် အားသာချက်များစွာကို ပေးစွမ်းသည်။ ဤ Circulator များသည် broadband coverage ကို ပေးစွမ်းပြီး ကျယ်ပြန့်သော frequency range တွင် ထိရောက်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေသည်။ signal များကို သီးခြားခွဲထုတ်နိုင်စွမ်းဖြင့် out of band signal များမှ ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုကို ကာကွယ်ပေးနိုင်ပြီး in band signal များ၏ သမာဓိကို ထိန်းသိမ်းနိုင်သည်။ broadband circulator များ၏ အဓိက အားသာချက်များထဲမှ တစ်ခုမှာ ၎င်းတို့၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော isolation စွမ်းဆောင်ရည်ဖြစ်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဤလက်စွပ်ပုံသဏ္ဍာန် device များတွင် port standing wave လက္ခဏာများ ကောင်းမွန်ပြီး reflected signal များကို လျှော့ချပေးကာ signal transmission ကို တည်ငြိမ်စွာ ထိန်းသိမ်းပေးသည်။
ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား 56MHz မှ 40GHz၊ BW မှ 13.5GHz အထိ။
စစ်ရေး၊ အာကာသနှင့် စီးပွားရေးအသုံးချမှုများ။
ထည့်သွင်းမှုဆုံးရှုံးမှုနည်းခြင်း၊ အထီးကျန်မှုမြင့်မားခြင်း၊ ပါဝါကိုင်တွယ်မှုမြင့်မားခြင်း။
စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်းကို တောင်းဆိုမှုအပေါ် ရရှိနိုင်ပါသည်။
-
RFTXX-60CA6363B-3 ချစ်ပ် လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ DC~3.0GHz RF လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ
မော်ဒယ် RFTXX-60CA6363B-3 (XX= လျော့ပါးမှုတန်ဖိုး) ခုခံမှုအပိုင်းအခြား 50 Ω ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~3.0GHz VSWR 1.25 အများဆုံး ပါဝါ 60 W လျော့ပါးမှုတန်ဖိုး(dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB လျော့ပါးမှုခံနိုင်ရည်(dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း <150ppm/℃ အလွှာပစ္စည်း BeO ခုခံမှုနည်းပညာ ထူထဲသောဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) တပ်ဆင်နည်းလမ်း ပါဝါလျှော့ချမှု ပြန်လည်စီးဆင်းမှု ဂဟေဆက်ချိန်နှင့် အပူချိန်ပုံ P/N သတ်မှတ်ချက် ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 ချစ်ပ် လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ DC~3.0GHz RF လျှပ်စီးကြောင်း လျှော့ချပေးသည့်ကိရိယာ
မော်ဒယ် RFTXXN-20CA5025C-3 (XX= လျော့ပါးမှုတန်ဖိုး) ခုခံမှုအပိုင်းအခြား 50 Ω ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~3.0GHz VSWR 1.25 အများဆုံး ပါဝါ 20 W လျော့ပါးမှုတန်ဖိုး(dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB လျော့ပါးမှုခံနိုင်ရည်(dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း <150ppm/℃ အလွှာပစ္စည်း AlN ခုခံမှုနည်းပညာ ထူထဲသောဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) ပုံမှန်စွမ်းဆောင်ရည်: 2dB ဂရပ် 20dB ဂရပ် 6dB ဂရပ် 30dB ဂရပ် တပ်ဆင်နည်းလမ်း... -
RFTXXN-10CA5025C-6 ချစ်ပ် လျှပ်ကူးကိရိယာ DC~6.0GHz RF လျှပ်ကူးကိရိယာ
မော်ဒယ် RFTXXN-10CA5025C-6 (XX= လျော့ပါးမှုတန်ဖိုး) ခုခံမှုအပိုင်းအခြား 50 Ω ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~6.0GHz VSWR 1.25 အများဆုံး ပါဝါ 10 W လျော့ပါးမှုတန်ဖိုး(dB) 01-10dB/11-20dB လျော့ပါးမှုခံနိုင်ရည်(dB) ±0.6dB/±0.8dB အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း <150ppm/℃ အလွှာပစ္စည်း AlN ခုခံမှုနည်းပညာ ထူထဲသောဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) ပုံမှန်စွမ်းဆောင်ရည်: 6dB ဂရပ် 20dB ဂရပ် တပ်ဆင်နည်းလမ်း ပါဝါလျှော့ချမှု ပြန်လည်စီးဆင်းမှု ဂဟေဆက်ချိန် & ... -
RFTXX-250RM1313K ခဲခုခံ RF ခုခံ
မော်ဒယ် RFTXX-250RM1313K ပါဝါ 250 W ခုခံမှု XX Ω~ (10-1000Ω စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) ခုခံမှု သည်းခံနိုင်မှု ±5% Capacitance 2.0 PF@100Ω အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ Substrate BeO Cover AL2O3 Lead Copper Silver Plating Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) အကြံပြုထားသော တပ်ဆင်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက် Reflow Profile P/N အမည် သတိပြုရန် ■ အသစ်ဝယ်ယူထားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သိုလှောင်မှုကာလ ၆ လထက်ကျော်လွန်ပြီးနောက်...
