-
-
MT-100WXX-F1116-NJ-XXG တပ်ဆင်မှုမကိုက်ညီမှု ရပ်စဲခြင်း
မော်ဒယ် MT-100WXX-F1116-NJ-XXG ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား F0±5% (F0 သည် အလယ်ဗဟိုကြိမ်နှုန်းဖြစ်သည်) VSWR 1.5、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0 VSWR ခံနိုင်ရည် ±5% အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ပါဝါ 100 W Impedance 50 Ω Connector အမျိုးအစား NM (J) အတိုင်းအတာ 110.0×160.0×80.0mm လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 ~ +125°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) အလေးချိန် ၀.၉ ကီလိုဂရမ်ခန့် ROHS နှင့်ကိုက်ညီသည် သတိပြုပါ ပါဝါလျှော့ချမှု P/N သတ်မှတ်ချက် -
MT-50WXX-F6080-NJ-XXG တပ်ဆင်မှု မကိုက်ညီမှု ရပ်စဲခြင်း
မော်ဒယ် MT-50WXX-F6080-NJ-XXG ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား F0±5% (F0 သည် အလယ်ဗဟိုကြိမ်နှုန်းဖြစ်သည်) VSWR 1.5、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0 VSWR သည်းခံနိုင်မှု ±5% အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ပါဝါ 50 W Impedance 50 Ω Connector အမျိုးအစား NM (J) အတိုင်းအတာ 60.0×60.0×80.0mm လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 ~ +125°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) အလေးချိန် / ဂရမ် ROHS နှင့်ကိုက်ညီသည် သတိပြုပါ ပါဝါလျှော့ချမှု P/N သတ်မှတ်ချက် -
ခဲပါသော လျှော့စက်
Leaded Attenuator သည် အီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည့် integrated circuit တစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ အဓိကအားဖြင့် လျှပ်စစ်အချက်ပြမှုများ၏ အစွမ်းသတ္တိကို ထိန်းညှိရန်နှင့် လျှော့ချရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေး၊ RF ဆားကစ်များနှင့် အချက်ပြမှုအစွမ်းသတ္တိကို ထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်သော အခြားအသုံးချမှုများတွင် အရေးကြီးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်။
Leaded Attenuator များကို သင့်လျော်သော substrate ပစ္စည်းများ {ပုံမှန်အားဖြင့် aluminum oxide (Al2O3)၊ aluminum nitride (AlN)၊ beryllium oxide (BeO) စသည်ဖြင့်} ကို မတူညီသော power နှင့် frequency ပေါ်အခြေခံ၍ ရွေးချယ်ခြင်းနှင့် resistance process များ (thick film သို့မဟုတ် thin film process များ) ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ပြုလုပ်လေ့ရှိသည်။
စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်းကို တောင်းဆိုမှုအပေါ် ရရှိနိုင်ပါသည်။
-
MT-10WXX-R3540-NJ-XXG တပ်ဆင်မှု မကိုက်ညီမှု ရပ်စဲခြင်း
မော်ဒယ် MT-10WXX-R3540-NJ-XXG ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား F0±5% (F0 သည် အလယ်ဗဟိုကြိမ်နှုန်းဖြစ်သည်) VSWR 1.5、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0 VSWR သည်းခံနိုင်မှု ±5% အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ပါဝါ 10 W Impedance 50 Ω Connector အမျိုးအစား NM (J) အတိုင်းအတာ Φ35.0×40.0mm လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 ~ +125°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) အလေးချိန် ၄၀ ဂရမ်ခန့် ROHS နှင့်ကိုက်ညီသည် သတိပြုပါ ပါဝါလျှော့ချမှု P/N သတ်မှတ်ချက် -
CT-50W-RX5015-IP65-DINJ 0.35-4G နိမ့်သော အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်မှု ရပ်တန့်ခြင်း
မော်ဒယ် CT-50W-RX5015-IP65-DINJ/0.35-4G ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား 0.35~4.0GHz VSWR 1.25 အများဆုံး PIM3 ≤-150dBc/-155dBc/-160dBc @2*43dBm ပါဝါ 50W Impedance 50 Ω ချိတ်ဆက်ကိရိယာအမျိုးအစား DIN-M (J) ရေစိုခံအဆင့် IP65 သို့မဟုတ် IP67 အတိုင်းအတာ Φ50×150mm လည်ပတ်မှုအပူချိန် -35 ~ +75°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) အရောင် အနက်ရောင် သတိပြုရန် ပါဝါလျှော့ချမှု P/N သတ်မှတ်ချက် -
CT-50W-RX5015-IP65-4310J 0.35-4G နိမ့်သော အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်မှု ရပ်ဆိုင်းမှု
မော်ဒယ် CT-50W-RX5015-IP65-4310J/0.35-4G ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~4.0GHz VSWR 1.25 အများဆုံး PIM3 ≤-150dBc/-155dBc/-160dBc @2*43dBm ပါဝါ 50W Impedance 50 Ω ချိတ်ဆက်ကိရိယာအမျိုးအစား 4.3-10-M (J) ရေစိုခံအဆင့် IP65 သို့မဟုတ် IP67 အတိုင်းအတာ Φ50×150mm လည်ပတ်မှုအပူချိန် -35 ~ +75°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) အရောင် အနက်ရောင် အလေးချိန် 630 ဂရမ်ခန့် သတိပြုရန် ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက် P/N သတ်မှတ်ချက် -
CT-02W-RA0612-1.85J-67G ကိုအက်ဆီယယ် ပုံသေအဆုံးသတ်
မော်ဒယ် CT-02W-RA0612-1.85J-67G ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~67.0GHz VSWR 1.30 အမြင့်ဆုံးပါဝါ 2W Impedance 50 Ω ချိတ်ဆက်ကိရိယာအမျိုးအစား 1.85-M (J) အတိုင်းအတာ Φ6.4×11.9mm လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 ~ +125°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) အလေးချိန် 3g ROHS နှင့်ကိုက်ညီသည် သတိပြုပါ ပါဝါလျှော့ချမှု P/N သတ်မှတ်ချက် -
CT-02W-RA0612-1.85J-67G ကိုအက်ဆီယယ် ပုံသေအဆုံးသတ်
မော်ဒယ် CT-01W-RA0814-1.0J-110G ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~110.0GHz VSWR 1.50 အမြင့်ဆုံးပါဝါ 1W Impedance 50 Ω ချိတ်ဆက်ကိရိယာအမျိုးအစား 1.0-M (J) အတိုင်းအတာ Φ7.5×13.7mm လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 ~ +125°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) အလေးချိန် 3g ROHS နှင့်ကိုက်ညီသည် သတိပြုပါ ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက် P/N သတ်မှတ်ချက် -
RFT50-20TM7750(R,L) အနားကွပ် အဆုံးသတ်
မော်ဒယ် RFT50-20TM7750(R,L) ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~4.0GHz ပါဝါ 20 W ခုခံမှုအပိုင်းအခြား 50 Ω ခုခံမှုသည်းခံနိုင်မှု ±5% VSWR 1.20 အများဆုံး အပူချိန်ကိန်း <150ppm/℃ အောက်ခံပစ္စည်း BeO ဦးထုပ်ပစ္စည်း Al2O3 အနားကွပ် နီကယ်ချထားသော ကြေးနီ ခဲ 99.99% စတာလင်ငွေ ခုခံမှုနည်းပညာ အထူဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +155°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) ပုံမှန်စွမ်းဆောင်ရည်- တပ်ဆင်ခြင်းနည်းလမ်း ပါဝါလျှော့ချမှု P/N သတ်မှတ်ချက် အာရုံစိုက်ရန်လိုအပ်သောကိစ္စရပ်များ ... -
RFT50-10TM7750(R,L) အနားကွပ် အဆုံးသတ်
မော်ဒယ် RFT50-10TM7750(R,L) ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~4.0GHz ပါဝါ 10 W ခုခံမှုအပိုင်းအခြား 50 Ω ခုခံမှုခံနိုင်ရည် ±5% VSWR 1.20 အများဆုံး အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း <150ppm/℃ အောက်ခံပစ္စည်း BeO ဦးထုပ်ပစ္စည်း Al2O3 အနားကွပ် နီကယ်ချထားသော ကြေးနီ ခဲ 99.99% စတာလင်ငွေ ခုခံမှုနည်းပညာ အထူဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +155°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) ပုံမှန်စွမ်းဆောင်ရည်- တပ်ဆင်ခြင်းနည်းလမ်း ပါဝါလျှော့ချမှု P/N သတ်မှတ်ချက် အာရုံစိုက်ရန်လိုအပ်သောကိစ္စရပ်များ ... -
RFT50A-05TM1104 အနားကွပ် အဆုံးသတ်
မော်ဒယ် RFT50A-05TM1104 ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား DC~6.0GHz ပါဝါ 5 W ခုခံမှုအပိုင်းအခြား 50 Ω ခုခံမှုခံနိုင်ရည် ±5% VSWR 1.20 အများဆုံး အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း <150ppm/℃ အောက်ခံပစ္စည်း Al2O3 ဦးထုပ်ပစ္စည်း Al2O3 အနားကွပ် နီကယ်ချထားသော ကြေးနီ ခဲ 99.99% စတာလင်ငွေ ခုခံမှုနည်းပညာ ထူသောဖလင် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55 မှ +155°C (ပါဝါလျှော့ချမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုကြည့်ပါ) ပုံမှန်စွမ်းဆောင်ရည်- တပ်ဆင်ခြင်းနည်းလမ်း ပါဝါလျှော့ချမှု P/N သတ်မှတ်ချက် အာရုံစိုက်ရန်လိုအပ်သောကိစ္စရပ်များ ■ A...
